这个问题需要虚部吗?

计算科学 有限元 复分析 亥姆霍兹方程
2021-12-09 18:53:11

在进入我的问题之前,让我将其背景化。

我正在对亥姆霍兹散射问题进行数值模拟

Δp+κ2p=0.

入射压力波将被边界上的一些障碍物散射,使得pincΓobstaclep=pinc+psc

从文献来看,在方向上的入射平面波通常用来描述。xpinc(x)=eiκx

由于我使用的有限元平台的一些限制,我必须将拆分为实部和虚部。那是eiκxcos(κx)isin(κx)

好吧,根据这个讨论,这意味着我必须将压力分成实部和虚部以及并重写问题的弱形式。pr+ipi=princ+prsc+i(piinc+pisc)

我的问题是,因为我只对解决方案的实部感兴趣,所以通过使 ?pinc(x)=cos(κx)+0i

有人可以向我解释这样做的影响(如果有的话)吗?

3个回答

用 FEM 离散化后的方程组可以用实代数写成

[ARAIAIAR]{pRpI}={fRfI},

其中子索引指的是阻抗矩阵、压力向量和源向量的实部和虚部。RI

通常,阻抗和负载矢量中的输入场的虚部会有所贡献。这意味着压力矢量的实部取决于这些虚部。如果你能保证你有,我认为你可以只使用实部。AI=0

我想分享一些我做的测试,看看不考虑虚部是否有任何惩罚。

通常,亥姆霍兹方程的弱形式写为

Ω(pq¯κ2pq¯)dΩ=Γgq¯ds

但是当我们考虑真实的(pr) 和虚构的 (pi) 部分,它变成

Ω(prq¯r+piq¯i+prq¯i+piq¯rκ2prq¯rκ2piq¯iκ2prq¯iκ2piq¯r)dΩ=Ω(gq¯r+gq¯i)dΩ

所以我在一个 2D 方形域中运行了 3 次模拟,其中左边界受到参考入射波的影响。在第一个中,我使用了原始的弱形式。在第二个我分裂p并将域分为实部和虚部,但保持0i. 最后,对于我采取的第三个isin(κx1)考虑到。结果如下所示,我在其中绘制p对于第一个模拟和pr为其他人。

在此处输入图像描述

除非我在某处犯了错误,否则结果是相同的。所以我相信我可以继续进行更简单的模拟。

正如@nicoguaro 所指出的,我用散射器做了更多的测试。这些新模拟的整体设置与我之前的答案以及结论相同。一定有某种方法可以在数学上证明AI=0,但不幸的是我现在没有时间调查它。

我会留下一张图片以供进一步参考。 在此处输入图像描述